Дослідження особливостей залежності заряду перемикання від прямого струму для епітаксіальних p-i-n структур різних типів та розмірів

ЕСТЕСТВОЗНАНИЕ

Дослідження особливостей залежності заряду перемикання від прямого струму для епітаксіальних p-i-n структур різних типів та розмірів

Читать полностью в формате WORD


ВВЕДЕНИЕ


Вступ
1 Напівпровідниковий діод
1.1 Загальні відомості
1.2 Вах напівпровідникового діода
1.3 P-i-n структури
2 Робота напівпровідникового діода в режимі перемикання
2.1 Фізичний механізм перемикання
2.2 Заряд перемикання
3 Особливості перемикання для діодів різних конструкцій
3.1 Сплавні діоди
3.2 Точкові діоди
3.3 Дифузійні діоди
3.4 Епітаксіальні діоди
4 Експерименти по визначенню заряду перемикання досліджуваних діодів
4.1 Експериментальна установка
4.2 Методика експерименту
5 Отримані результати та їх аналіз
6 Охорона праці
Висновки
Перелік посилань

Прогрес найважливіших областей нової техніки в значній мірі зобов’язаний напівпровідниковій електроніці. Успіхи останньої базуються на досягненнях техніки та технології одержання напівпровідникових кристалів високого ступеня чистоти і структурної досконалості, а також на підвищенні ефективності лабораторного та промислового контролю їх якості.
При контролюванні напівпровідникових виробів розглядаються їх електрофізичні параметри, до яких відносяться концентрація основних та неосновних носіїв заряду, рухливість і коефіцієнт дифузії основних та неосновних носіїв заряду, час життя нерівноважних носіїв заряду та концентрація донорних та акцепторних домішок.
Одним з найважливіших параметрів напівпровідникових матеріалів є час життя нерівноважних носіїв заряду.
Методи виміру часу життя нерівноважних носіїв заряду є основними методами контролю якості напівпровідникових матеріалів і структур, що містять p-n перехід, на основі яких виготовляють різні види напівпровідникових приладів і мікросхем, а також складають основу багатьох експериментальних методів дослідження в області фізики напівпровідників.

Список использованной литературы

1. Под ред. Горюнова Н.Н., Носова Ю.Р. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерения. –М.: Советское радио, 1968. – 303 с., ил.
2. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. –М.: Советское радио, 1969. – 591 с., ил.
3. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. –К.: Техника, 1980. – 464 с., ил.
4. Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы. –М.: Высшая школа, 1973. –398 с., ил.
5. Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров (ГОСТ 18986.6 – методы измерения заряда восстановления). – М.: Государственный комитет СССР по стандартам, 1983. – 119с.
6. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. –М.: Энергия, 1973. ‑656 с., ил.
7. Гусятинер М.С., Горбачев А.И. Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды.- М.: Радио и связь, 1983.-224 с.
8. Моряков О.С. Вакуумно – термические процессы в полупроводниковом производстве. -М.:Высш.школа, 1980.-181с.,ил.
9. Смит Р. Полупроводники. –М.: Мир -1982. 358 с., ил.
10. Григорьев Б.И., Тогатов В.В. Определение времени жизни неосновных носителей заряда в широкой базе тиристора. –М.:Элетронная техника, 1974. -180с.
11. http://dssp.petrsu.ru/book/chapter4/part1.shtml - Твердотельная электроника. Полупроводниковые диоды.
12. http://www.ispu.ru/library/lessons/Egorov/HTML/Section23.html - Физика твердого тела. Физические явления в p-n переходе.

Просмотров: 51